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基本信息

标准号: JB/T 6307.4-1992

中文名称:电力半导体模块测试方法 双极型晶体管臂和臂对

标准类别:机械行业标准(JB)

英文名称: Test methods for power semiconductor modules Bipolar transistor arms and arm pairs

标准状态:现行

发布日期:1992-06-26

实施日期:1993-01-01

出版语种:简体中文

下载格式:.rar.pdf

下载大小:7.79 MB

相关标签: 电力 半导体 模块 测试方法 双极型 晶体管

标准分类号

中标分类号:电工>>输变电设备>>K46电力半导体期间、部件

关联标准

出版信息

出版社:机械工业出版社

页数:26页

标准价格:19.0 元

出版日期:1993-01-01

相关单位信息

起草人:蔚红旗、蓝筱屏、和成杰

起草单位:机械电子工业部西安电力电子技术研究所

提出单位:机械电子工业部西安电力电子技术研究所

发布部门:中华人民共和国机械电子工业部

标准简介

本标准规定了双极型电力晶体管臂和臂对模块的电特性、热特性和额定值的测式方法及热循环负载试验方法。本标准适用于5A及5A以上外壳额定的NPN型电力晶体管模块。若适当规定温度规定点,除绝缘电压检验方法外,本标准其他测试方法也适用于双极型电力晶体管。 JB/T 6307.4-1992 电力半导体模块测试方法 双极型晶体管臂和臂对 JB/T6307.4-1992

标准内容

JB/T 63Q7.4-1991 电力半导体模块测试方法 双极型晶体管臂和臂对 中华人民共和国机械行业标准 本标准规定了双极型电力晶体管臂和臂对模块的电特性、热特性和额定值的测试方法及热循环负载试验方法。本标准适用于5A及以上外壳额定的NPN型电力晶体管模块。只要改变电源和电表的极性,本标准也适用于PNP型电力晶体管模块。若适当规定温度规定点,除绝缘电压检验方法外,本标准其他测试方法也适用于双极型电力晶体管。 2 引用标准 GB 4728 电气图用图形符号 GB 7159 电气技术中的文字符号制订通则 3 术语 3.1 集电极-基极截止电流(IcBo) 发射极开路(即发射极电流Ig=0)时,在规定的集电极一基极电压下,流过集电极一基极结的反向电流。 3.2 发射极一基极截止电流(IzBo) 集电极开路(即集电极电流Ic=0)时,在规定的发射极一基极电压下,流过发射极一基极结的反向电流。 3.3 集电极-发射极截止电流(IceO、IcER、Icgx) 基极开路(即基极电流Is=0)时,在规定的集电极一发射极电压下,流过集电极一发射极的电流。有时,基极不是开路,而在基极与发射极间接有一个规定的电阻器或一个规定的电路,则相应的集电极一发射极截止电流分别用Icr和Iciex表示。 3.4 基极-发射极饱和电压(Va) 在规定的基极电流或基极一发射极电压条件下,基极与发射极之间的电压。注:这是当基极一发射极结和基极一集电极结均为正向偏置时,基极与发射极之间的电压。 3.5 集电极一发射极饱和电压(VcE) 在规定的基极电流或基极一发射极电压条件下,集电极与发射极之间的电压。注:这是当基极一发射极结和基极一集电极结均为正向偏置时,集电极与发射极之间的电压。 3.6 正向电流传输比的静态值(h21E) 输出电压保持不变时,直流输出电流与直流输入电流之比。 3.7 延迟时间(ta) 从在晶体管的输入端施加使其从非导通态转变为导通态的脉冲起,到在其输出端出现载流子产生的脉冲止的时间间隔。通常,此时间以分别对应于所施加脉冲及输出脉冲幅值的10%两点之间的时间间隔来度量。 3.8 上升时间(ta) 晶体管从非导通态向导通态转变时,其输出端脉冲值分别达到规定的下限和上限两时刻之间的时间间隔。注:通常,下限和上限分别为输出脉冲幅值的10%和90%。 3.9 开通时间(tan) 延迟时间与上升时间之和,即ta+ta。 3.10(载流子)贮存时间(tS) 从施加于晶体管输入端的脉冲开始下降的点起,到载流子在其输出端产生的脉冲开始下降的点止的时间间隔。注:通常,此时间以两脉冲幅值的90%点之间的时间间隔来度量。 3.11 下降时间(t) 晶体管从导通态向非导通态转变时,其输出端脉冲值分别达到规定的上限和下限两时刻之间的时间间隔。注:通常,上限和下限分别为输出脉冲幅值的90%和10%。 3.12 关断时间(ta) 贮存时间与下降时间之和,即tS+tD。 3.13 关断交迭时间(te) 晶体管从导通态向非导通态转变时,从集电极电压上升至其断态峰值的10%点起,到集电极电流脉冲下降至其通态峰值10%点止的时间间隔。 3.14 集电极-发射极维持电压(VcEO, VcERrun, VcEx) 基极开路(即基极电流I=0)时,在较大的集电极电流下的集电极一发射极击穿电压。在此集电极电流下,击穿电压对集电极电流的变化不敏感。有时,基极不是开路,而在基极与发射极间接有一个规定的电阻器或一个规定的电路,则相应的集电极一发射极维持电压分别用VcER(s)和Vcex()表示。 3.15 集电极-基极击穿电压(V(R)Cao) 发射极开路(即发射极电流Ig=0)时,集电极与基极间的击穿电压。 3.16 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBo) 集电极开路(即集电极电流Ic=0)时,发射极与基极间的击穿电压。 3.17 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO, V(BR)CER, V(BR)CEx) 基极开路(即基极电流I=0)时,集电极与发射极间的击穿电压。有时,基极不是开路,而在基极与发射极间接有一个规定的电阻器或一个规定的电路,则相应的集电极-发射极击穿电压分别用V(BR)CER和V(BR)CEx表示。 3.18 集电极基极电压(Vcro) 发射极开路(即发射极电流Ig=0)时的集电极-基极电压。 3.19 发射极-基极电压(V8o) 集电极开路(即集电极电流Ic=0)时的发射极-基极电压。 3.20 集电极-发射极电压(V)

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