中华人民共和国国家标准 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求 Low-voltage fuses Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices GB13539.4—92 本标准参照采用国际标准 IEC 269-4（1986）《低压熔断器：半导体器件保护用熔断体的补充要求》。本标准应与 GB13539.1—92《低压熔断器基本要求》一起使用。除非本标准另有说明，半导体器件保护用熔断体，还应符合 GB13539.1 的相关规定。 1 主题内容与适用范围 本标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间-电流特性、分断能力、截断电流特性、It特性、电弧电压特性、试验和标志。 本标准适用于交流额定电压不超过1200V或直流额定电压不超过1500V的电路中具有半导体器件的设备上使用的熔断体。 注：①在多数情况下，以组合设备的一部分作为熔断体的底座。由于设备种类繁多，难以作出一般的规定。是否适合用作熔断体的底座，应由用户与制造厂协商。 ②这种熔断体通常称为“半导体熔断体”。 2 引用标准 GB321 优先数和优先数系 GB13539.1 低压熔断器基本要求 3 术语、符号、代号 3.1 术语 3.1.1 半导体器件：semiconductor device，基本特性是由于载流子在半导体中流动引起的一种器件。 3.1.2 半导体熔断体：semiconductor fuse-link，在规定条件下，能够分断7.2范围内的任何电流值的一种限流熔断体。 注：GB13539.1中术语：“熔断体的使用类别”本标准不适用。 3.2 符号 T：时间常数 4 分类 GB13539.1 的规定不适用。 5 特性 5.1 熔断体 电弧电压特性。 5.2 额定电压 若有特殊需要，用户可与制造厂协商，按 GB321 中 R5 或 R10 系列选取。 5.3 额定频率 额定频率是指与性能数据有关的频率。 5.4 熔断体的额定耗散功率 除 GB13539.1 中的规定外，制造厂还应规定耗散功率与 50%～100% 额定电流的函数关系，或规定 50%、63%、80% 和 100% 额定电流时的耗散功率。 注：若需知道熔断体的电阻值时，此电阻值应根据耗散功率与电流的函数关系来确定。 5.5 时间-电流特性的极限 5.5.1 时间-电流特性：时间-电流带熔断体的时间-电流特性随设计而改变，对于给定的熔断体，则与周围空气温度和冷却条件有关。 制造厂应按 8.2 规定的条件，提供周围空气温度为 20～25℃ 时的时间-电流特性。 时间-电流特性是弧前时间-电流特性和在额定频率时，以电压为参数的熔断时间-电流特性。直流的时间-电流特性是按表4规定的时间常数时的特性。对于某些使用场合，特别是对于高的预期电流（时间较短），可以用 It 特性来代替时间-电流特性或同时规定 It 特性和时间-电流特性。 5.5.1.1 弧前时间-电流特性 对于交流：弧前时间-电流特性应以额定频率时的交流有效值表示。 注：在额定频率时的 10 个周波左右时间与实际上处于绝热状态很短的时间之间，这特别重要。 对于直流：对时间超过 15t 的弧前时间-电流特性部分特别重要，并且与这区域内的交流弧前时间电流特性相同。 注：①由于实际使用中电路时间常数的范围较大，时间短于 15t 的特性，以孤前 It 特性来表示较为方便。 ②选择 15t 的数值是为了避免在较短时间时，电流增长的不同速率对弧前时间-电流特性的影响。 5.5.1.2 熔断时间-电流特性 对于交流：熔断时间-电流特性在规定功率因数下，与外施电压有关。 原则上，熔断时间-电流特性应以导致最大熔断 It 值的电流开始的瞬间为基础。 电压参数至少应包括 100%、50% 和 25% 的额定电压。 对于直流：熔断时间-电流特性不适用。因为它对于时间大于 15t 不重要（见 5.5.1.1）。 5.5.2 约定时间和约定电流 GB13539.1 的规定不适用。 5.5.3 门限 GB13539.1 的规定不适用。 5.5.4 过载曲线 5.5.4.1 过载能力 制造厂应标出几组沿着时间-电流特性的坐标点，这些点已按 8.3.2.3 规定程序得到了验证的。 验证过载能力的坐标点的数量和位置可由制造厂选定。 验证过载能力的时间坐标点应选择在 0.01～60s 范围内。 如需增加坐标点数量，用户可与制造厂协商。 5.5.4.2 约定过载曲线 约定过载曲线是按 8.3.2.3 规定程序得到了验证的坐标点上引出直线段组成。从每组坐标点上引出两根直线：